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簡(jiǎn)單的密勒效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)電路

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簡(jiǎn)單的密勒效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)電路

下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的密勒效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)電路，可以應(yīng)用于控制工作電流不大的電路的上電沖擊電流。

電路中C1即Cgs，可以防止Vgs抖動(dòng)，VIN開啟通常都是開關(guān)或者直接插拔，Cgs有助于消除由于機(jī)械抖動(dòng)導(dǎo)致的Vgs抖動(dòng)，所以C1不能太小。C2即Cdg，Cdg與一個(gè)小電阻串聯(lián)，主要目的是防止Idg過(guò)大，此外上電時(shí)，C1和C2有一個(gè)交流分壓，所以C1較好遠(yuǎn)大于C2，防止MOS管誤開啟。D2是一個(gè)TVS，防止Vgs過(guò)壓，導(dǎo)致MOS管閂鎖。

三、相關(guān)計(jì)算

既然是計(jì)算，那么面臨的問(wèn)題就是計(jì)算什么？我們要利用密勒效應(yīng)控制沖擊電流，那么電流，也就是Ids是我們的計(jì)算對(duì)象。通過(guò)上文我們知道，密勒效應(yīng)期間MOS管的柵源電壓Ugs是保持不變的，那么Ugs就是我們需要計(jì)算的對(duì)象。

Ugs和Ids，共兩個(gè)未知數(shù)，因此，需要建立兩個(gè)獨(dú)立的方程才能求得結(jié)果。

方程一

第一個(gè)方程來(lái)自于MOS管的特性，MOS管是電壓控制型器件，由Ugs可以控制Ids，從教科書上可以找到如下公式，

Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2

上述公式需要兩個(gè)參數(shù)，就是Ido和Ugs(th)，獲取這個(gè)參數(shù)較好的方式，就是從MOS管的規(guī)格書上找到轉(zhuǎn)移特性曲線，如下圖

然后根據(jù)實(shí)際的Ids和Ugs，挑出兩組值，就可以解出Ido和Ugs(th)。也可以用多組值利用數(shù)值方法，較小二乘法之類的擬合出一個(gè)Ido和Ugs(th)。

有了方程一，Ids和Ugs關(guān)系就知道了。

方程二

第二個(gè)方程來(lái)自于密勒效應(yīng)，即密勒效應(yīng)期間，柵源電源Ugs保持不變。

就是dUgs/dt=0，上文推出了Ids/Cds=Idg/Cdg。

此時(shí)又多了一個(gè)Idg為未知數(shù)，但I(xiàn)dg是實(shí)際電路電路參數(shù)決定的。

分析一下第二節(jié)中的電路圖。

(Vin-Vsg)/R2-Idg=Vsg/R1

也就是(Vin-Vsg)/R2-IdsCdg/Cds=Vsg/R1，這就是方程二

方程二也說(shuō)明可以通過(guò)電路參數(shù)人為控制密勒平臺(tái)。

實(shí)測(cè)驗(yàn)證

有示波器和資源的可以焊接一個(gè)單板，利用示波器測(cè)試，看看與理論計(jì)算值是否相符。電源適配器公司驗(yàn)證過(guò)，但信息安全比較嚴(yán)，圖片什么的就弄不出來(lái)了。好希望家里有個(gè)示波器。

要想在示波器上看到密勒平臺(tái)，需要注意兩點(diǎn)：

恒流期的Ugs要明顯大于穩(wěn)定時(shí)的Ugs(也就是R1和R2分壓)，太接近就看不出來(lái)。
密勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間要長(zhǎng)，太短就看不出來(lái)，也就是恒流對(duì)負(fù)載電容充電的時(shí)間，電容電壓高于一定值就會(huì)退出恒流區(qū)，這就要求要么充電電流小，要么負(fù)載電容很大。
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| 發(fā)布時(shí)間：2018.06.21 來(lái)源：電源適配器廠家

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