簡述低氣壓試驗(yàn)

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簡述低氣壓試驗(yàn)

隨著人們在地球上活動范圍的擴(kuò)大，隨著航天航空和海洋開發(fā)事業(yè)的迅速發(fā)展，隨著電工電子產(chǎn)品在各個(gè)方面的廣泛應(yīng)用，產(chǎn)品所遇到的環(huán)境條件變得日益復(fù)雜和多樣。
大氣壓力的變化就是其中之一。而大氣壓只要取決于海拔高度，隨著高度增加,大氣壓逐漸降低,大氣逐漸變得稀薄,高度接近5.5km 處時(shí),大氣壓降低到海平面標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的一半；接近 16km處的大氣壓為標(biāo)準(zhǔn)海平面值的 1/10；接近 31km 處的大氣壓為標(biāo)準(zhǔn)海平面值的 1/100。.地球表面有相當(dāng)大的地區(qū)的地勢較高，我國約有 50%的面積高于 1000m, 約有 25%的面積高于2000m，地勢較高的地區(qū)的氣壓較沿海地區(qū)的氣壓要低。對于航空產(chǎn)品，由于飛機(jī)較低也要飛幾千米，一般均要在萬米及萬米以上，較高可達(dá) 30km,故機(jī)載設(shè)備將承受著更低的氣壓作用。氣壓的降低勢必對高原地區(qū)使用的電工電子產(chǎn)品及機(jī)載設(shè)備產(chǎn)生影響。
許多產(chǎn)品的試驗(yàn)報(bào)告及實(shí)地考察都反映了氣壓降低對性能的影響。氣壓降低對產(chǎn)品的直接影響主要實(shí)氣壓變化產(chǎn)生的壓差作用。這對于密封產(chǎn)品的外殼會產(chǎn)生一個(gè)壓力，在這個(gè)壓力的作用下會使密封破壞。然而氣壓降低的主意作用還在于因氣壓降低伴隨著大氣密度的降低及空氣的平均自由程增大，有次會使產(chǎn)品的性能受到很大影響。散熱產(chǎn)品的溫升隨大氣壓降低而增加。電工電子產(chǎn)品有相當(dāng)一部分是發(fā)熱產(chǎn)品，如電機(jī)、變壓器、接觸器、電阻器等。這些產(chǎn)品在使用中要消耗一部分電能變成為熱能，這樣產(chǎn)品會發(fā)熱，溫度升高。產(chǎn)品因發(fā)熱而使溫度升高，這溫度升高部分稱之為溫升。散熱產(chǎn)品的溫升隨大氣壓的降低而增加，隨海撥高度的增加而增加。導(dǎo)致產(chǎn)品的性能下降或運(yùn)行不穩(wěn)定等現(xiàn)象出現(xiàn)。
低氣壓對密封產(chǎn)品的影響。低氣壓對密封產(chǎn)品的影響主要是由于大氣壓的變化形成壓差。壓差引起一個(gè)從高壓指向低壓的力。在該力作用下，使氣體流動來達(dá)到平衡。而對于密封產(chǎn)品，其外殼將承受此力。此力可以使外殼變形、密封件破裂造成產(chǎn)品失效。
低氣壓對電性能的影響。海撥高度增加氣壓降低，對電工電子產(chǎn)品的電氣性能也會產(chǎn)生影響。特別是以空氣作為絕緣介質(zhì)的設(shè)備，低氣壓對設(shè)備的影響更為顯著。在正常大氣條件下，空氣可以是較好的絕緣介質(zhì)，許多電氣產(chǎn)品以空氣為絕緣介質(zhì)。這些產(chǎn)品用于高海撥地區(qū)或作為機(jī)載設(shè)備時(shí)，由于大氣壓降低，常常在電場較強(qiáng)的電極附近產(chǎn)生局部放電現(xiàn)象，稱之為電暈。更嚴(yán)重的是，有時(shí)會發(fā)生空氣間隙擊穿。這意味著設(shè)備的正常工作狀態(tài)被破壞。在低氣壓下,特別是伴隨高溫條件時(shí)空氣介電強(qiáng)度顯著降低，即電暈起始電壓和擊穿電壓顯著降低，從而使電弧表面放電或電暈放電的危險(xiǎn)性增加。
低氣壓試驗(yàn)的目的。由于大氣壓的降低,產(chǎn)品的機(jī)械性能和電氣性能都會受到很大影響,有時(shí)會導(dǎo)致產(chǎn)品的破壞。由于高度的增加，大氣壓的降低，大氣密度的降低，空氣也變得稀薄。在我們考慮得高度范圍內(nèi)（低于 3000 米），空氣中得分子得平均自由程仍然很小，大氣仍可看成是連續(xù)介質(zhì)流體。空氣的流動特性和熱力學(xué)特性在低氣壓條件下于正常大氣條件下一樣遵循相同的物理規(guī)律。但低氣壓的情況于正常大氣相比。產(chǎn)品受到不同的影響。例如產(chǎn)品散熱情況于正常大氣條件不同。由此可知，低氣壓條件下，輻射散熱所占比例增大，對流散熱所占比例降低，此外由于大氣密度的降低，散熱產(chǎn)品周圍也將發(fā)生變化。低氣壓對產(chǎn)品的影響在正常大氣條件下是無法模擬的，因此必須進(jìn)行低氣壓試驗(yàn)。由于氣壓低，產(chǎn)品的機(jī)械和電氣性能都會受到很大影響，有時(shí)會導(dǎo)致產(chǎn)品的損壞。低氣壓環(huán)境條件對產(chǎn)品的影響在正常大氣條件下是無法模擬的，必須按相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)。只有這樣，產(chǎn)品質(zhì)量才能得到保證。隨著市場經(jīng)濟(jì)體制的逐步建立，企業(yè)間的競爭愈來愈激烈，而競爭的焦點(diǎn)則是產(chǎn)品的質(zhì)量和價(jià)格，但更主要的是質(zhì)量。保證產(chǎn)品的高質(zhì)量才能保證企業(yè)在競爭中永遠(yuǎn)立于不敗之地。為此，一定要加強(qiáng)環(huán)境條件試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化工作，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)就開始考慮環(huán)境變化對產(chǎn)品的影響，提高產(chǎn)品對環(huán)境的適應(yīng)性，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。

目前有關(guān)低氣壓試驗(yàn)的國家標(biāo)準(zhǔn)有：GB2421-1989《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則》

GB2423.21-1991《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn) M：低氣壓試驗(yàn)方法》

GB/T2423.25-1992《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM：低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》

GB/T2423.26-1992《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM ：高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》

GB2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD：低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法》

GB/T2424.15-1992《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則》

GJB150.2-86 《軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法低氣壓（高度）試驗(yàn)》

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| 發(fā)布時(shí)間：2018.06.15 來源：電源適配器廠家

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