電源廠家分享電源適配器能效技術(shù)進(jìn)展

雖然歐盟(Eu)的能源效率目標(biāo)一般與其它標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)比較并不嚴(yán)格，但EU標(biāo)準(zhǔn)中的無(wú)負(fù)荷功耗標(biāo)準(zhǔn)要小于能源之星和CEC的相對(duì)需求(對(duì)于低功率適配器，分別為300mW和500mW。200"／年1月1日后，這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)又提升到1個(gè)新的水平，即對(duì)待機(jī)能耗的范嗣將限定在O．150～0．500W之間。這導(dǎo)致選擇可達(dá)到多項(xiàng)全球標(biāo)準(zhǔn)的電源解決方案更為重要。另一方面，現(xiàn)階段歐盟、CFC法案和中國(guó)常見(jiàn)的認(rèn)證需求在無(wú)負(fù)荷功耗標(biāo)準(zhǔn)層面只是達(dá)到能源之星2006年7月1El前的標(biāo)準(zhǔn)。CFc在2008年1月1El后對(duì)所有輸出功率的產(chǎn)品都需求小于0．5w，所以在出口商品層面，無(wú)負(fù)荷功耗應(yīng)該是1個(gè)需要引起重視的標(biāo)準(zhǔn)。

雙極晶體管具有開(kāi)關(guān)速度高的特點(diǎn)，但其反向漏電和驅(qū)動(dòng)功率都比較大，而MO$FET與此恰好向反。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是結(jié)合了MOSFET與cTP的特點(diǎn)于一身的。IGBT的技術(shù)進(jìn)步實(shí)際上是通態(tài)壓降，快速開(kāi)關(guān)和高耐壓能力三者的折中。在它剛出現(xiàn)時(shí)，電壓、電流額定值只有600V／25A。歷經(jīng)長(zhǎng)期的探討研究和改善，如今IGBT的電壓、電流額定值已分別超過(guò)3300V／l200A和4500WI800A。高壓IGBT單片耐壓已超過(guò)6500v，一般IGBT的工作頻率上限為20一40kHz，基于穿通(Pr)型結(jié)構(gòu)應(yīng)用新技術(shù)生產(chǎn)的IGBT，可工作于150kHz(硬開(kāi)關(guān))和300k}Iz(軟開(kāi)關(guān))。在功率半導(dǎo)體器件所用材料上也獲得了非常大的進(jìn)步，碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料。其特點(diǎn)是：禁帶寬、工作溫度高(可達(dá)600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、PN結(jié)耐壓高等，有助于生產(chǎn)出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體器件，將是21世紀(jì)較可能成功應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件材料。